一种4H-SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管

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专利申请号：

CN201610335266.0

专利类型：

发明专利

技术分类：

H01L29/417(2006.01)I

专利有效期：

2036-05-19

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专利信息

专利名称：一种4H-SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管

商品编号：5713766

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申请日期：2016-05-19

公开/公告号：CN105845718B

授权公告日/公开日：2016-08-10

申请/专利权人：杭州***大学

发明/设计人：王颖***成浩

主分类号：H01L29/417(2006.01)I

IPC分类号：H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/7

说明书摘要免费下载摘要

本发明公开了一种4H‑SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管，包括依次层叠设置的P型集电极区，N型漂移区，N型的电流增强层，P型基体区，P型体接触区，N型发射区、发射极金属和集电极金属；还包括第一沟槽与第二沟槽，所述第一沟槽与第二沟槽自器件的上表面穿透P型基体区终止在N型漂移区内；所述第一沟槽内填充第一氧化层和第一多晶硅，所述第二沟槽内的第二多晶硅底部被重掺杂的P型区与N型漂移区隔开，侧面被第二氧化层与P型体接触区、P型基体区及N型漂移区隔开；所述的重掺杂屏蔽区通过第二多晶硅与发射极连接。本发明减小了4H‑SiC沟槽IGBT的栅氧底部拐角的电场强度，达到降低器件的正向导通压降以减小器件损耗的目的。

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