一种硅基太阳能电池及其单晶硅片钝化方法
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专利申请号:
CN201510536607.6
专利类型:
发明专利
技术分类:
H01L31/18(2006.01)I
专利有效期:
2035-08-27
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专利信息
专利名称:一种硅基太阳能电池及其单晶硅片钝化方法
商品编号:5667546
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申请日期:2015-08-27
公开/公告号:CN105244411A
授权公告日/公开日:2016-01-13
申请/专利权人:
陕西***学
发明/设计人:
刘生***斌
主分类号:H01L31/18(2006.01)I
IPC分类号:H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I
说明书摘要免费下载摘要
本发明提供一种硅基太阳能电池及其单晶硅片钝化方法,包括如下步骤,1)单晶硅片的清洗:对单晶硅进行清洗去除其表面的氧化层和金属离子以及有机物;2)单晶硅片脱水:将清洗干净的单晶硅片进行干燥脱水;3)氢化非晶硅锗的沉积:将干燥的单晶硅片放入等离子增强化学气相沉积系统中预热,在180℃-220℃的沉积温度和10W-20W的等离子体激发功率下,在硅烷、锗烷和氢气气氛中对单晶硅片双面进行氢化非晶硅锗的沉积后,完成对单晶硅片的钝化。本发明所述的钝化方法,在180℃-220℃的环境中可以实现整个钝化过程,降低了热损伤。整个钝化过程中等离子激发功率10W-20W,降低了等离子体的损伤。少子寿命高,钝化效果好。
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