一种具有纵向分离阳极的SA-LIGBT器件
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专利申请号：
CN202010092899.X
专利类型：
发明专利
技术分类：
H01L29/739
专利有效期：
2040-02-14
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专利信息
专利名称：一种具有纵向分离阳极的SA-LIGBT器件
商品编号：5371932
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申请日期：2020-02-14
公开/公告号：CN111326576B
授权公告日/公开日：2023-03-14
申请/专利权人：
重庆***学
发明/设计人：
陈伟***红升
主分类号：H01L29/739
IPC分类号：H01L29/739; H01L29/06; H01L29/08
说明书摘要免费下载摘要
本发明涉及一种具有纵向分离阳极结构的SALIGBT器件，属于半导体功率器件领域。本发明将传统SA‑LIGBT的N+阳极和P+阳极分离，将N+阳极设置在器件内部，通过增加N+阳极的纵向深度，延长单极性导电模式下电子的流动路径；N+阳极下方P型浮空层可以增大器件的阳极分布电阻，通过调节N+阳极的纵向深度和P型浮空层的掺杂浓度，完全消除snapback效应。本发明利用了器件的纵向长度减少芯片面积；正向导通时，新结构LIGBT的正向导通压降为0.91V，相比于分离阳极短路型LIGBT和常规阳极短路LIGBT分别减少了6.2％和24％；关断时，N+阳极可以快速抽取漂移区中的电子，其关断时间为370ns，相比于传统LIGBT和介质隔离型LIGBT减少了82％和23％。
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