垂直结构蓝光发光二极管及其制备方法
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专利申请号：
CN201910018312.8
专利类型：
发明专利
技术分类：
H01L33/00
专利有效期：
2039-01-09
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专利信息
专利名称：垂直结构蓝光发光二极管及其制备方法
商品编号：5350567
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申请日期：2019-01-09
公开/公告号：CN109994578B
授权公告日/公开日：2020-12-11
申请/专利权人：
南京***学
发明/设计人：
王永***佳磊
主分类号：H01L33/00
IPC分类号：H01L33/00; H01L33/10
说明书摘要免费下载摘要
本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种垂直结构蓝光发光二极管及其制备方法。所述垂直结构蓝光发光二极管，包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；金属反射层，位于所述第一表面；氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型GaN层，所述氮化物外延层的厚度小于蓝光波长；N型电极，位于所述N型GaN层表面；P型电极，位于所述第二表面。本发明降低了内部吸收损耗，使得发光二极管的出光效率大幅度提高。
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垂直结构蓝光发光二极管及其制备方法专利，专利类型：发明授权，技术分类是：H01L33/00，购买垂直结构蓝光发光二极管及其制备方法专利，需要申请人和发明人的基础信息，还需提供垂直结构蓝光发光二极管及其制备方法专利的详细信息。
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