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一种传感器结构及其形成方法

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专利申请号
CN202010295763.9
专利类型
发明专利
技术分类
H01L27/146
专利有效期
2040-04-15
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专利信息
专利名称:一种传感器结构及其形成方法
商品编号:3979791
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申请日期:2020-04-15
公开/公告号:CN111384076A
授权公告日/公开日:2020-07-07
申请/专利权人: 山东***公司
发明/设计人: 侯**
主分类号:H01L27/146
IPC分类号:H01L27/146
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本发明提供了一种传感器结构及其形成方法,该方法包括以下步骤:提供一衬底,在所述衬底内具有多个像素区,接着从所述衬底的所述第二表面对所述衬底进行减薄处理以及形成第一减反射层,接着形成栅格结构,接着在每个所述栅格结构围绕形成的沟槽中交替形成金属网和滤光层,直至形成第N个金属网以及第N个滤光层,其中,N为不小于3的自然数,其中,每个所述滤光层的厚度与所述每个所述金属网的厚度的比值为5-10,所述金属网的孔隙率大于等于80%,接着在所述第N个滤光层上形成第二减反射层,接着在所述第二反射层上形成透镜层。

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