一种Cr

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专利申请号：

CN202110093901.X

专利类型：

发明专利

技术分类：

C23C14/16(2006.01)I

专利有效期：

2041-01-23

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专利信息

专利名称：一种Cr

商品编号：6003979

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申请日期：2021-01-23

公开/公告号：CN112962060B

授权公告日/公开日：2021-12-28

申请/专利权人：西安***学

发明/设计人：张金***孙军

主分类号：C23C14/16(2006.01)I

IPC分类号：C23C14/16(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I

说明书摘要免费下载摘要

本发明公开了一种Cr3Al/Zr多层薄膜及其制备方法，通过磁控溅射沉积法在洁净的硅基体上沉积制备Cr3Al/Zr多层薄膜，通过Ar+离子轰击靶材(阴极)与样品(Cr3Al/Zr)原子发生弹性碰撞，进一步产生碰撞级联，样品原子由此被激发并反向沉积到基体。Cr3Al原子和Zr原子依次沉积，交替形成不同调制周期不同界面结构的多层薄膜，而溅射所产生的二次电子等高密度等离子体在相互垂直的电磁场的联合作用下以旋轮线的形式循环运动，不与基体接触。因此电离效率高、沉积速率快。本发明不仅成功制备出不同界面结构的纳米多层薄膜，而且所得薄膜均匀致密，界面结构清晰，综合性能优良。

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