数字市场 专利库 一种纳米***及其纳米***微自毁芯片的制备方法
一种纳米***及其纳米***微自毁芯片的制备方法

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专利申请号：
CN202210793872.2
专利类型：
发明专利
技术分类：
C06B33/00(2006.01)I
专利有效期：
2042-07-07
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专利信息
专利名称：一种纳米***及其纳米***微自毁芯片的制备方法
商品编号：5987126
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申请日期：2022-07-07
公开/公告号：CN115141070B
授权公告日/公开日：2023-04-14
申请/专利权人： 西南***学
发明/设计人： 竹文***志斌
主分类号：C06B33/00(2006.01)I
IPC分类号：C06B33/00(2006.01)I;C01G29/00(2006.01)I;G06F21/78(2013.01)I;B22F1/10(2022.01)I;B22F1/054(2022.01)I
说明书摘要免费下载摘要

本发明公开了一种纳米***及其纳米***微自毁芯片的制备方法，包括：将纳米铝粉和纳米钛粉分散于有机溶剂中，随后加入CuBi2O4纳米片，超声，静置后去除上层溶液并保留底部沉淀，将底部沉淀真空干燥，得到Al‑Ti/CuBi2O4纳米***粉体。以硝化棉为粘结剂实现了含能薄膜的构筑，制备了基于Al‑Ti/CuBi2O4纳米***的微自毁芯片。多金属氧酸盐CuBi2O4可以赋予Al‑Ti/CuBi2O4纳米***高温和高压双重的反应特性。Al‑Ti/CuBi2O4微自毁芯片集燃烧、产气和毁伤性能为一体，同时还具备优异的抗跌落能力，有望满足广泛的自毁需求。

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