数字市场 专利库 一种纳米硫化锂-铜复合电极及其制备方法

一种纳米硫化锂-铜复合电极及其制备方法

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专利申请号
CN202111578701.X
专利类型
发明专利
技术分类
H01M4/136(2010.01)I
专利有效期
2041-12-22
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专利信息
专利名称:一种纳米硫化锂-铜复合电极及其制备方法
商品编号:5985557
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申请日期:2021-12-22
公开/公告号:CN114267824B
授权公告日/公开日:2023-11-14
申请/专利权人: 杭州***大学
发明/设计人: 李仕***澳旗
主分类号:H01M4/136(2010.01)I
IPC分类号:H01M4/136(2010.01)I;H01M4/134(2010.01)I;H01M4/1395(2010.01)I;H01M4/1397(2010.01)I;H01M4/04(2006.01)I;H01M4/36(2006.01)I;H01M4/38(2006.01)I;H01M4/58(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I
说明书摘要免费下载摘要

本发明公开了一种纳米硫化锂‑铜复合电极及其制备方法。该纳米硫化锂‑铜复合电极含有混合在一起的纳米硫化锂颗粒和纳米铜颗粒。本发明通过将硫化铜纳米线经过深度嵌锂后转化成纳米硫化锂颗粒和纳米铜颗粒。硫化锂的纳米化有利于增强硫化锂与导电剂和电解液的接触,从而提升纳米硫化锂‑铜复合电极的电子导电性和离子导电性。纳米铜颗粒也有助于进一步提升纳米硫化锂‑铜复合电极的电子导电性。此外,本发明制备纳米硫化锂‑铜复合电极的过程分别以铜纳米线和硫化铜纳米线作为原料和中间物质,所以浆料制作、极片涂层、极片辊压等过程均无需干燥气氛保护,降低了工艺难度,节省了生产成本。

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