一种发光二极管芯片的制作方法

本发明提供了一种发光二极管芯片的制作方法，首先，生长外延结构之前在衬底表面形成沟道，所述沟道把衬底表面分割成表面积与最终芯片大小基本一致的若干生长岛；然后，通过生长的方法在生长岛形成侧壁倾斜的外延结构；最后，形成了若干发光二极管芯片。该方法不需要后期进行划片，可以减少掩膜的使用以及避免在划片过程中对外延结构的损伤，且本方法也不需要在后期对外延结构进行腐蚀工艺或者激光工艺等处理形成倾斜侧壁，节约了制作工序，降低了生产成本、提高了生产效率，并且该倾斜侧壁是自然形成，能够免除刻蚀工艺或者激光切割工艺对外延结构的影响，进一步提高出光效率。