制造半导体装置的方法
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专利申请号:
CN201811103618.5
专利类型:
发明专利
技术分类:
H01L21/768(2006.01)I
专利有效期:
2038-09-21
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专利信息
专利名称:制造半导体装置的方法
商品编号:5888167
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申请日期:2018-09-21
公开/公告号:CN109216268B
授权公告日/公开日:2021-04-16
申请/专利权人:
德淮***公司
发明/设计人:
李晓***龙康
主分类号:H01L21/768(2006.01)I
IPC分类号:H01L21/768(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要
本公开涉及制造半导体装置的方法。所述方法包括以下步骤:提供半导体衬底,其中在所述半导体衬底的前侧中具有第一开口,并且所述第一开口中填充有第一隔离件;在所述第一隔离件的两侧形成延伸到所述半导体衬底内的第一沟槽,所述第一沟槽与所述第一隔离件邻接并且在所述半导体衬底内延伸到比所述第一隔离件更深的位置;形成填充在所述第一沟槽中的第二隔离件;将所述半导体衬底的背侧减薄,以从所述半导体衬底的背侧暴露所述第二隔离件的一部分;从所述半导体衬底的背侧去除由所述第一隔离件和所述第二隔离件围绕的区域中的所述半导体衬底,以形成第二沟槽;去除所述第二沟槽的底部处的所述第一隔离件,由此形成硅通孔TSV结构。
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