一种异质非对称栅叠加外延层MOS场效应管
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专利申请号:
CN201920828659.4
专利类型:
实用新型
技术分类:
H01L29/78(2006.01)I
专利有效期:
2029-06-03
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专利信息
专利名称:一种异质非对称栅叠加外延层MOS场效应管
商品编号:5804562
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申请日期:2019-06-03
公开/公告号:CN209626229U
授权公告日/公开日:2019-11-12
申请/专利权人:
南京***学
发明/设计人:
赵剑***王伟
主分类号:H01L29/78(2006.01)I
IPC分类号:H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要
本实用新型公开了一种异质非对称栅叠加外延层MOS场效应管,包括源极、漏极、栅极、沟道及栅氧化层,栅极包括栅极中间及靠近源极漏极的栅极两端,栅极两端材料的功函数低于栅极中间材料的功函数;沟道包括沟道中间及靠近源极漏极的沟道两端,沟道两端为N型重掺杂区,沟道中间包括衬底N型轻掺杂区和叠加在衬底N型轻掺杂区上的N型轻掺杂外延层;栅氧化层包括靠近漏极的叠加结构,所述叠加结构包括高电介质材料氧化层区和普通电介质材料氧化层区,高电介质材料氧化层区位于普通电介质材料氧化层区上方。本实用新型可作为一种耐热电子器件,即使较短的沟道,也能降低短沟道效应和热电子效应,降低漏感应势垒降低效应,提高栅极输运效率。
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