微波闪烧合成碳化硅的方法
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专利申请号：
CN202210463925.4
专利类型：
发明专利
技术分类：
C04B35/573(2006.01)I
专利有效期：
2042-04-29
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专利信息
专利名称：微波闪烧合成碳化硅的方法
商品编号：5802845
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申请日期：2022-04-29
公开/公告号：CN114685170B
授权公告日/公开日：2023-05-23
申请/专利权人：
洛阳***院
发明/设计人：
张锐***李豪
主分类号：C04B35/573(2006.01)I
IPC分类号：C04B35/573(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要
本发明涉及一种微波闪烧合成碳化硅的方法，首先，将硅源和碳源均匀混合，之后，将得到的混合粉体直接置于微波烧结炉中进行微波烧成，或者，将混合后的粉体先进行预成型，之后再置于微波烧结炉中进行微波烧成；微波烧成的过程包括：将微波烧结炉的输入功率升至3KW以上，温度迅速上升到设定温度后，不保温，立即结束烧制，完成微波烧成，合成碳化硅；所述的设定温度不小于600℃。本发明借助微波加热快速、节约能源且保护环境的优势，将硅源和碳源混合后直接在高微波输入功率下一分钟内实现碳化硅的合成，效率极高，且通过本发明方法可制得纯度高的α‑SiC。
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