晶体生长设备及其作为氟代硼铍酸钾晶体生长设备的应用
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专利申请号:
CN201410591528.0
专利类型:
发明专利
技术分类:
C30B29/22(2006.01)I
专利有效期:
2034-10-28
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专利信息
专利名称:晶体生长设备及其作为氟代硼铍酸钾晶体生长设备的应用
商品编号:5793857
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申请日期:2014-10-28
公开/公告号:CN104357908A
授权公告日/公开日:2015-02-18
申请/专利权人:
西安***大学
发明/设计人:
王**
主分类号:C30B29/22(2006.01)I
IPC分类号:C30B29/22(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要
本发明涉及晶体生长设备及其作为氟代硼铍酸钾晶体生长设备的应用,该设备包括加热炉、反应室、密封装置和减压装置,所述的反应室的下部埋设在加热炉内,密封装置密封反应室的上部,减压装置与密封装置连通。所述密封装置章的三层密封圈设计成功地解决了高温高压下的密封难题,可旋转的籽晶夹持器设置在反应室上端,通过精确控制籽晶生长方向,在高温减压的条件下使晶体实现快速定向生长,无需切割加工,所述电子控压计可以自动调节反应室压力值,该装置可以通过减压降低晶体的熔点,保证在浅过冷状态下晶体不挥发分解,配合陶瓷加热线圈和保温壳体更好的达到加热和保温效果。
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