数字市场 专利库 一种钾离子选择性薄膜及其制备方法

一种钾离子选择性薄膜及其制备方法

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专利申请号
CN202210891819.6
专利类型
发明专利
技术分类
B01D67/00(2006.01)I
专利有效期
2042-07-27
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专利信息
专利名称:一种钾离子选择性薄膜及其制备方法
商品编号:5789788
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申请日期:2022-07-27
公开/公告号:CN115364679B
授权公告日/公开日:2023-06-27
申请/专利权人: 中国***汉)
发明/设计人: 高鹏***雅捷
主分类号:B01D67/00(2006.01)I
IPC分类号:B01D67/00(2006.01)I;B01D69/12(2006.01)I;B01D71/02(2006.01)I;B01D69/02(2006.01)I;B01J20/22(2006.01)I;B01J20/30(2006.01)I
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本发明公开了钾离子选择性薄膜及其制备方法。制备方法包括如下步骤:将氧化石墨烯粉末和二甲基二甲氧基硅烷液体加入去离子水中,加热搅拌至完全分散,停止搅拌并将溶液冷却至室温形成胶体溶液,并取一定量的胶体溶液滴加在多孔基底聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上,自然风干得到功能化氧化石墨烯薄膜;将干燥后的功能化氧化石墨烯薄膜放入0.1~0.5M的KCl溶液中,室温下吸附10~24h后取出,用离子水冲洗,随后用氮气吹干。本发明利用氧化石墨烯薄膜作为离子传输通道及二甲基二甲氧基硅烷功能分子作为K+的吸附位点,并结合溶液浸泡法将K+负载在功能化氧化石墨烯薄膜材料上,得到钾离子选择性薄膜,从而实现了对K+的选择性通过。

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