NativeNMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件
注:上述费用仅包含专利权利转让费用,不包含专利年费或因年费未及时缴纳产生的滞纳金、恢复费。专利年费是专利权人依照专利法规定,自被授予专利权的当年开始,在专利权有效期内逐年应向专利局缴纳的费用。由于出售的专利类型、专利年限以及专利权人是否满足国家费用减缓的条件均会影响具体年费金额,需根据购买专利的实际情况进行缴纳。缴纳年费以及滞纳金、恢复费需单独和平台顾问确认且不属于下单后加价行为,故无法适用保障。
专利申请号:
CN201310123051.9
专利类型:
发明专利
技术分类:
H01L29/74(2006.01)I
专利有效期:
2033-04-10
友情提示:该资源未保障“真” “价”,付款前请核实资源真实性与价格。
在线咨询
微信扫码邀请顾问协助
- 该资源已获得保障和赔付:
- 转让不成功退款退
- 转让超期必赔时
- 该资源未获得保障和赔付:
- 资源不保真必赔真
- 下单后加价必赔价
专利信息
专利名称:NativeNMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件
商品编号:5787317
复制
申请日期:2013-04-10
公开/公告号:CN103178105A
授权公告日/公开日:2013-06-26
申请/专利权人:
辽**学
发明/设计人:
蔡**
主分类号:H01L29/74(2006.01)I
IPC分类号:H01L29/74(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L29/78(
说明书摘要免费下载摘要
本发明创造涉及一种NativeNMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件。采用的技术方案是:包括P型衬底,P型衬底上设置N阱,在N阱上设有第一P+注入区和第一N+注入区,第一N+注入区临近N阱和P型衬底的交界处;在P型衬底上设有第二P+注入区和第二N+注入区,第二P+注入区临近N阱和P型衬底的交界处;第一P+注入区接阳极,第二N+注入区接阴极;NativeNMOS源接第一N+注入区,NativeNMOS漏接第二P+注入区,NativeNMOS衬底接电路的Vss。本发明NativeNMOS导通后,NativeNMOS的导通电流充当SCR期间的触发电流,触发晶闸管SCR导通,晶闸管导通后,晶闸管电流导通大部分ESD电流,从而实现了ESD保护。
转让流程
提出需求
提出您的专利需求
顾问一对一服务
顾问一对一服务
顾问匹配
顾问匹配资源库
快速确定优质专利
快速确定优质专利
签订合同
签订专利转让协议
成功付款
成功付款
递交申请
准备转让资料
国知局审查办理
国知局审查办理
领取证书
获得专利权,投入使用
所需资料
买方提供资料
个人身份证
公司或个体营业执照
购买后获得证书
专利证书
专利登记簿副本
手续合格通知书
平台优势
常见问题
购买专利需要什么资料?
NativeNMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件专利,专利类型:发明授权,技术分类是:H01L29/74(2006.01)I,购买NativeNMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件专利,需要申请人和发明人的基础信息,还需提供NativeNMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件专利的详细信息。
专利交易转让时间是多久?
专利权转让期限一般是2~6个月的时间获得专利转让通知书,在转让之前双方需要签订转让合同即可,NativeNMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件专利具体的操作步骤,可以联系八戒数字交易的客服一对一服务。
相似专利
换一换