无电形成过程阻变存储器实现量子电导效应的方法
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专利申请号:
CN201910248076.9
专利类型:
发明专利
技术分类:
H01L45/00(2006.01)I
专利有效期:
2039-03-29
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专利信息
专利名称:无电形成过程阻变存储器实现量子电导效应的方法
商品编号:5767494
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申请日期:2019-03-29
公开/公告号:CN109950394B
授权公告日/公开日:2020-05-15
申请/专利权人:
河**学
发明/设计人:
魏凌***若平
主分类号:H01L45/00(2006.01)I
IPC分类号:H01L45/00(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要
本发明提出了一种无电形成过程阻变存储器实现量子电导效应的方法,其步骤如下:在温度为380‑410℃、氧分压1×10‑3 Pa的环境下用脉冲激光沉积工艺沉积NiO薄膜,NiO薄膜上部制备Au电极作为Au上电极,未被NiO薄膜覆盖的FTO薄膜作为FTO下电极;在295‑373K温度范围内,进行电压扫描模式,绘制电压‑电流测试曲线显示不需要电形成过程;RESET过程中多步电流跳变过程中电压‑电导曲线,显示出至少有6个量子化的阻变台阶。本发明实现了量子电导效应,无电形成过程可以降低阻变存储器的能耗,避免发生不同程度的击穿或损坏,提高装置的工作稳定性;量子电导效应的实现可以大幅度增加存储密度,可应用在多级存储器的超高密度存储领域。
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