低噪声宽光谱响应的单光子雪崩光电二极管及其制作方法

注：上述费用仅包含专利权利转让费用，不包含专利年费或因年费未及时缴纳产生的滞纳金、恢复费。专利年费是专利权人依照专利法规定，自被授予专利权的当年开始，在专利权有效期内逐年应向专利局缴纳的费用。由于出售的专利类型、专利年限以及专利权人是否满足国家费用减缓的条件均会影响具体年费金额，需根据购买专利的实际情况进行缴纳。缴纳年费以及滞纳金、恢复费需单独和平台顾问确认且不属于下单后加价行为，故无法适用保障。

专利申请号：

CN201910582366.7

专利类型：

发明专利

技术分类：

H01L31/02(2006.01)I

专利有效期：

2039-06-28

友情提示：该资源未保障“真” “价”，付款前请核实资源真实性与价格。

在线咨询

微信扫码邀请顾问协助

该资源已获得保障和赔付：
退

转让不成功退款
猪八戒数字市场承诺此服务在数字市场交易中，如转让不成功，将全额退款
转让不成功退款
时

转让超期必赔
猪八戒数字市场承诺此服务在数字市场交易中，如验收资料后超一个工作日递交转让申请，赔付100元
转让超期必赔

该资源未获得保障和赔付：
真

资源不保真必赔
猪八戒数字市场承诺此服务在数字市场交易中，如资源已售或权利瑕疵，除全额退款以外，再赔付100元
资源不保真必赔
价

下单后加价必赔
猪八戒数字市场承诺此服务在数字市场交易中，如卖家额外加价，除全额退款以外，再赔付300元
下单后加价必赔

专利信息

专利名称：低噪声宽光谱响应的单光子雪崩光电二极管及其制作方法

商品编号：5764538

复制

申请日期：2019-06-28

公开/公告号：CN110246903B

授权公告日/公开日：2021-05-28

申请/专利权人：湖南***学

发明/设计人：金湘***洋

主分类号：H01L31/02(2006.01)I

IPC分类号：H01L31/02(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/107(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I

说明书摘要免费下载摘要

本发明公开了一种低噪声宽光谱响应的单光子雪崩光电二极管，包括衬底P‑Sub，衬底P‑Sub上设有PBL区，PBL区上设有P‑EPI区，P‑EPI区中设有P‑Well区，P‑Well区中设有P+注入区，P‑EPI区内侧设有DN‑Well区，DN‑Well区中设有N‑Well区，N‑Well区中设有N+注入区；N+注入区、N‑Well区、DN‑Well区、PBL区，构成全耗尽区域。本发明中全耗尽区域的存在能够使得器件的光子检测概率提高，而且耗尽区会使得电场分布峰值远离器件材料的表面区域，大幅度降低材料缺陷引起的能级捕获问题，降低所述器件的暗电流，达到低噪声的目的。

转让流程