一种提高维持电压的带假栅静电释放器件及其制作方法
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专利申请号:
CN201810052905.1
专利类型:
发明专利
技术分类:
H01L27/02(2006.01)I
专利有效期:
2038-01-19
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专利信息
专利名称:一种提高维持电压的带假栅静电释放器件及其制作方法
商品编号:5764537
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申请日期:2018-01-19
公开/公告号:CN108376681B
授权公告日/公开日:2020-12-18
申请/专利权人:
湖南***学
发明/设计人:
金湘***洋
主分类号:H01L27/02(2006.01)I
IPC分类号:H01L27/02(2006.01)I; H01L21/8249(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要
本发明公开了一种提高维持电压的带假栅静电释放器件,包括衬底,衬底中设有HVNW区,HVNW区内从左至右依次设有P‑body区和NDD区,所述P‑body区内从左至右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区,所述第一多晶硅栅横跨在HVNW区和P‑body区之间,所述NDD区内从左至右依次设有第二N+注入区、第二多晶硅假栅、第三N+注入区;所述第二多晶硅假栅构成多晶硅假栅结构,以提高器件的维持电压。本发明采用多晶硅假栅结构,能够使得LDMOS器件的静电放电远离沟道区域的表面,绝大部分的静电电流均从器件的体内泄放,因此器件能够承受足够高强度的ESD脉冲应力,防止器件的表面发生热击穿现象。
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