多级NAND闪存存储器的优化方法、装置、设备及介质
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专利申请号:
CN202310247185.5
专利类型:
发明专利
技术分类:
G11C16/34(2006.01)I
专利有效期:
2043-03-15
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专利信息
专利名称:多级NAND闪存存储器的优化方法、装置、设备及介质
商品编号:5762890
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申请日期:2023-03-15
公开/公告号:CN116386703A
授权公告日/公开日:2023-07-04
申请/专利权人:
西南***学
发明/设计人:
马*
主分类号:G11C16/34(2006.01)I
IPC分类号:G11C16/34(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I;G11C16/12(2006.01)I;G11C5/14(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要
本发明提供了一种多级NAND闪存存储器的优化方法、装置、设备及介质,涉及闪存存储器领域,包括获取当前擦除次数值和每个存储胞元中的页数;根据页数,计算得到初始权重系数;根据初始权重系数和第一预设公式,计算得到验证电压值;根据当前擦除次数值与预设擦除次数基数值进行计算,得到判断值;当判断值等于预设标准值时,根据预设测试数据的电压信息,计算得到电压偏移量均值;对初始权重系数进行优化计算,得到优化权重系数;根据优化权重系数和第一预设公式,计算得到验证电压优化值。本方法一方面建立了验证电压与原始用户信息之间的关系,另一方面根据闪存磨损程度,能够自适应地优化验证电压。
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