数字市场 专利库 一种低冗余率的稀疏阵列构型设计方法

一种低冗余率的稀疏阵列构型设计方法

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专利申请号
CN202110788746.3
专利类型
发明专利
技术分类
G06F30/20(2020.01)I
专利有效期
2041-07-13
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专利信息
专利名称:一种低冗余率的稀疏阵列构型设计方法
商品编号:5753473
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申请日期:2021-07-13
公开/公告号:CN113486525B
授权公告日/公开日:2023-04-28
申请/专利权人: 金陵***院
发明/设计人: 赵嫔***凌瑕
主分类号:G06F30/20(2020.01)I
IPC分类号:G06F30/20(2020.01)I;H01Q21/00(2006.01)I
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本发明涉及一种低冗余率的稀疏阵列构型设计方法,包括以下步骤:(1)确定两级稀疏子阵列的阵元数目及阵元间距;(2)设计稀疏阵列构型并推导阵元位置分布的解析表达式;(3)推导稀疏阵列在差分共阵域、求和共阵域及求和差分共阵域的连续区间;(4)基于步骤3中的连续区间,计算求和差分虚拟阵的连续自由度;(5)推导求和共阵与差分共阵重叠度的表达式;(6)计算该稀疏阵列构型的共阵冗余率。本发明通过减少求和虚拟阵与差分虚拟阵之间的阵元重叠率,解决了现有同类阵列设计方法存在的共阵冗余度过高的问题,在相同阵元数的情况下,具有更高的阵列利用率与自由度,从设计层面提升了角度估计性能。

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