提高多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法

本发明公开了一种提高多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法，该方法是在腐蚀槽外绕线圈，当线圈通交流电时，线圈内部（即腐蚀槽中）将产生变化的磁场，在变化的磁场周围存在感生电场，感生电场的方向与径向方向垂直而其大小与半径r成正比。一方面，由于在感生电场的作用下，离硅片腐蚀中心越远，感生电场越大，正负离子热运动越快，导致沿径向方向上随离硅片腐蚀中心越远而腐蚀越深，同时，提高***溶液在径向方向浓度的一致性；另一方面，正常恒流腐蚀下，随离腐蚀中心越远，沿径向方向物理厚度缓慢变小，在一定条件下，二者达到动态平衡，从而增强了多孔硅薄膜内表面的径向物理微结构的均匀性，保证多孔硅薄膜径向物理微结构的均匀性。