一种高熵非晶薄膜及制备方法和应用
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专利申请号：
CN201910429354.0
专利类型：
发明专利
技术分类：
C23C14/16(2006.01)I
专利有效期：
2039-05-22
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专利信息
专利名称：一种高熵非晶薄膜及制备方法和应用
商品编号：5715001
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申请日期：2019-05-22
公开/公告号：CN110106473B
授权公告日/公开日：2021-05-18
申请/专利权人：
江苏***院
发明/设计人：
王泽***叶霞
主分类号：C23C14/16(2006.01)I
IPC分类号：C23C14/16(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要
本发明通过在等原子比的CoCrFeMnNi中引入非金属元素N，磁控溅射法制得了化学组成及原子比为CoCrFeMnNiN(0.35～0.75)的高熵合金薄膜，通过本发明方法制得的高熵合金薄膜为非晶态结构，其硬度值可达14～18GPa，弹性模量可达170～190GPa，疲劳寿命大于12×104周次；制备的高熵非晶薄膜分别在36～38％浓盐酸(wt％)和98％浓硫酸(wt％)浸泡180天表面无变化；引入N元素后不仅使硬度、弹性模量和疲劳寿命在一定程度上提高，还具有很好的耐腐蚀性，能够应用于工业设备特别是盐酸合成炉设备的零部件表面。
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