数字市场 专利库 一种新型非对称双栅隧穿场效应晶体管

一种新型非对称双栅隧穿场效应晶体管

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专利申请号
CN201610251263.9
专利类型
发明专利
技术分类
H01L29/739(2006.01)I
专利有效期
2036-04-20
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专利信息
专利名称:一种新型非对称双栅隧穿场效应晶体管
商品编号:5714006
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申请日期:2016-04-20
公开/公告号:CN105702721B
授权公告日/公开日:2016-06-22
申请/专利权人: 杭州***大学
发明/设计人: 王颖***成浩
主分类号:H01L29/739(2006.01)I
IPC分类号:H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要

本发明公开了一种新型非对称双栅隧穿场效应晶体管,由顶部栅电极、底部栅电极、源电极、漏电极、p型重掺杂pocket区、沟道区、第一n型重掺杂区、第二n型重掺杂区、第一高K栅介质材料、第二高K栅介质材料、二氧化硅氧化层组成。本发明利用非对称栅极结构将隧穿器件陡峭的亚阈值摆幅和无结器件的较大开态电流优点相结合,当该新器件工作在亚阈值区时主要是无结器件工作,这样可以拥有更好的亚阈值特性,比如陡峭的亚阈值摆幅,而在开态时主要是无结器件工作,这样可以拥有更大的驱动电流。综合两种状态的变化,新型器件可以有效地提高器件的基本电学特性。

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