一种二维硫化钨基垂直异质结构材料的制备方法
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专利申请号：
CN201910765723.3
专利类型：
发明专利
技术分类：
C23C14/16(2006.01)I
专利有效期：
2039-08-19
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专利信息
专利名称：一种二维硫化钨基垂直异质结构材料的制备方法
商品编号：5712835
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申请日期：2019-08-19
公开/公告号：CN110565052B
授权公告日/公开日：2022-01-11
申请/专利权人：
杭州***大学
发明/设计人：
陈飞***涛
主分类号：C23C14/16(2006.01)I
IPC分类号：C23C14/16(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要
本发明属于纳米材料制备技术领域，公开了一种二维硫化钨基垂直异质结构材料的制备方法，采用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，磁控溅射的Mo/W薄膜为Mo、W源，与硫蒸气反应，在Mo/W薄膜附近三个不同区域制备得到WS2基垂直异质结构。所得WS2基垂直异质结构的形貌为两种不同尺寸的晶体堆叠而成的三角形，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域。本发明选用磁控溅射的Mo/W超薄薄膜作为Mo、W源，通过Mo、W源蒸发温度的差异和有效蒸发面积的不同，以及随时间和距离变化的Mo、W源的浓度分布，成功实现二维WS2基垂直异质结构的组分调变。WS2基垂直异质结构具有可调的发射光波长，在光探测器件中有潜在的应用价值。
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