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散热集成半导体晶体管及其制备方法

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专利申请号
CN202010163797.2
专利类型
发明专利
技术分类
H01L21/336(2006.01)I
专利有效期
2040-03-10
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专利信息
专利名称:散热集成半导体晶体管及其制备方法
商品编号:5712239
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申请日期:2020-03-10
公开/公告号:CN111430242A
授权公告日/公开日:2020-07-17
申请/专利权人: 杭州***大学
发明/设计人: 刘*
主分类号:H01L21/336(2006.01)I
IPC分类号:H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要

本发明公开一种散热集成半导体晶体管及其制备方法,该方法包括步骤在半导体衬底的正面沉积电极层,形成半导体晶体管;对半导体晶体管的表面进行预处理,以增加半导体晶体管表面的形核密度;在半导体晶体管的表面沉积纳米级金刚石层;在纳米级金刚石层的表面沉积微米级金刚石层,形成散热集成半导体晶体管。通过本发明方案,可以有效提升半导体晶体管的散热效率,通过实验表明,相同尺寸下,使用金刚石集成设计的半导体晶体管将拥有更大的功率密度。

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