一种单晶硅压力变送器的温度补偿改进方法
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专利申请号:
CN202310346490.X
专利类型:
发明专利
技术分类:
G01L19/04(2006.01)I
专利有效期:
2043-04-03
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专利信息
专利名称:一种单晶硅压力变送器的温度补偿改进方法
商品编号:5693023
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申请日期:2023-04-03
公开/公告号:CN116296047A
授权公告日/公开日:2023-06-23
申请/专利权人:
淮***院
发明/设计人:
张**
主分类号:G01L19/04(2006.01)I
IPC分类号:G01L19/04(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要
本发明涉及压力变送器领域,公开了一种单晶硅压力变送器温度补偿改进方法。将温度传感器封装在单晶硅压力传感器内部,通过单晶硅压力传感器获取变送器的压力数据;通过温度传感器获取单晶硅压力变送器的温度数据;调整变送器零点,校准压力测量与输出下限。对数据进行预处理,利用插值运算法和查表法,对压力数据以及温度数据进行补偿运算,得到压力和温度数据矩阵;基于压力和温度数据矩阵,利用曲线拟合算法得到补偿模型,进一步利用补偿模型进行变送器的温度自动补偿。与现有技术相比,本发明通过对变送器采集的数据进行标定、分析、拟合,来实现通过温度补偿降低变送器的精度影响因素,同时达到温度自动补偿的效果。
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