树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极应用于电化学识别色氨酸对映体
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专利申请号：
CN201710323930.4
专利类型：
发明专利
技术分类：
G01N27/327(2006.01)I
专利有效期：
2037-05-08
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专利信息
专利名称：树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极应用于电化学识别色氨酸对映体
商品编号：5688703
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申请日期：2017-05-08
公开/公告号：CN107238644B
授权公告日/公开日：2019-06-04
申请/专利权人：
常**学
发明/设计人：
孔泳***嘉卫
主分类号：G01N27/327(2006.01)I
IPC分类号：G01N27/327(2006.01)I;G01N27/48(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要
本发明涉及树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极应用于电化学识别色氨酸对映体，包括以下步骤：树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备、色氨酸对映体的电化学识别、色氨酸对映体的识别重现性。本发明的有益效果：二氧化硅的刚性较强，从而在识别与再生的过程中，印迹空腔不容易发生变形和塌陷，且非离子表面活性剂C20聚氧乙烯醚含有大量的含氧官能团，因此C20聚氧乙烯醚可通过氢键作用诱导分子印迹二氧化硅在氧化铟锡电极表面生长，这有利于分子印迹二氧化硅电化学识别氨基酸对映体。
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