数字市场 专利库 一种双局部有源绝对值磁控忆阻器的等效模拟电路

一种双局部有源绝对值磁控忆阻器的等效模拟电路

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专利申请号
CN201910494237.2
专利类型
发明专利
技术分类
G06F30/367(2020.01)I
专利有效期
2039-06-09
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专利信息
专利名称:一种双局部有源绝对值磁控忆阻器的等效模拟电路
商品编号:5677276
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申请日期:2019-06-09
公开/公告号:CN110110494B
授权公告日/公开日:2023-04-18
申请/专利权人: 山东***学
发明/设计人: 李玉***袁方
主分类号:G06F30/367(2020.01)I
IPC分类号:G06F30/367(2020.01)I;G06F30/373(2020.01)I
说明书摘要免费下载摘要

本发明公开了一种双局部有源绝对值磁控忆阻器的等效模拟电路,其利用模拟集成运算设计电路实现了该忆阻模型的伏安磁滞特性,属于电路设计技术领域。利用电子器件的集成运算,设计该忆阻器本征动力学运算关系。其中,配置反相比例器,实现输出电压与输入电压的比例运算,并使它们极性相反;利用反相比例加法器,实现多个输入电压的加法运算,使其和作为输出电压且成反相;配置反相积分器,实现对输入电压信号的积分运算;设计乘法电路,实现两端口输入信号的乘积运算;设计绝对值电路网络,实现输入电压的绝对值运算,使输出电压为输入电压的绝对值。本发明的电路仿真设计,使其能够代替实物双局部有源绝对值磁控忆阻器实现与此忆阻器相关的非线性电路与系统的设计和实验,探索该忆阻器电气特性及关联系统的动力学,为忆阻器的应用奠定必要的理论与实践研究基础。

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