一种定向生长单晶ZnO纳米墙的水溶液制备方法

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专利申请号：

CN201310652570.4

专利类型：

发明专利

技术分类：

C30B29/16(2006.01)I

专利有效期：

2033-12-09

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专利信息

专利名称：一种定向生长单晶ZnO纳米墙的水溶液制备方法

商品编号：5669951

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申请日期：2013-12-09

公开/公告号：CN103628133A

授权公告日/公开日：2014-03-12

申请/专利权人：西安***学

发明/设计人：于**

主分类号：C30B29/16(2006.01)I

IPC分类号：C30B29/16(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I

说明书摘要免费下载摘要

本发明涉及一种定向生长单晶ZnO纳米墙的水溶液制备方法，克服现有技术存在的多晶非定向问题。解决方案是a.ZnO种子层制备，将摩尔比为1:1的Zn(CH3COO)2·2H2O和Al(NO3)3.9H2O与体积比为1:1的乙二醇甲醚和乙醇组成的混合溶剂混合，使Zn2+浓度为0.05-0.5mol/L，制备得到含有种子层的ITO玻璃基底备用；b.ZnO纳米墙生长，将Zn(NO3)26H2O与(CH2)6N4按摩尔比为1:1配制成0.025-0.05mol/L的溶液，在ITO玻璃上得到一层白色薄膜。本发明通过在种子液中加入Al(NO3)3.9H2O,可实现ZnO纳米墙定向生长；通过对ZnO纳米墙高温热处理，可实现ZnO纳米墙单晶化，对气敏传感器提供更有效的导电通道以提高电导率。

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