一种梯度磁场微流控芯片
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专利申请号:
CN201910088561.4
专利类型:
发明专利
技术分类:
B01L3/00(2006.01)I
专利有效期:
2039-01-28
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专利信息
专利名称:一种梯度磁场微流控芯片
商品编号:5663912
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申请日期:2019-01-28
公开/公告号:CN109746064B
授权公告日/公开日:2021-10-15
申请/专利权人:
武汉***学
发明/设计人:
汤曼***韵
主分类号:B01L3/00(2006.01)I
IPC分类号:B01L3/00(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要
本发明公开了一种梯度磁场微流控芯片,包括盖片和基片,盖片位于基片的正上方,基片的一表面上镀有导电薄膜,基片镀有导电薄膜的表面上设有具有磁性梯度变化的磁性结构,盖片下表面上设有流体沟道,流体沟道上与磁性结构对应的位置处设有捕获区,捕获区呈膨大状,盖片的两端分别设有注入口和排出口,注入口和排出口分别与流体沟道连通,磁性结构的磁场强度从注入口至排出口的方向依次减少或增加,基片和磁性结构均与盖片通过粘结剂层密封连接。该微流控芯片结构简单,便于制作,成本低廉,能够对不同磁力组分进行分选,进而能够对不同蛋白表达量的循环肿瘤细胞进行分型。
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