一种具有高维持电流强鲁棒性的LDMOS-SCR结构的ESD自保护器件
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专利申请号：
CN201410024428.X
专利类型：
发明专利
技术分类：
H01L27/02(2006.01)I
专利有效期：
2034-01-20
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专利信息
专利名称：一种具有高维持电流强鲁棒性的LDMOS-SCR结构的ESD自保护器件
商品编号：5641754
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申请日期：2014-01-20
公开/公告号：CN103730462A
授权公告日/公开日：2014-04-16
申请/专利权人：
江**学
发明/设计人：
梁**
主分类号：H01L27/02(2006.01)I
IPC分类号：H01L27/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要
一种具有高维持电流强鲁棒性的LDMOS-SCR结构的ESD自保护器件，可用于片上IC高压ESD自保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第二N+注入区、第一场氧隔离区、薄栅氧化层、第二场氧隔离区、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区和多晶硅栅构成。本发明设计的LDMOS-SCR结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，可分别形成寄生LDMOS-SCR结构和两个二极管与LDMOS导电沟道相连的ESD电流泄放路径，快速泄放ESD电流，提高器件触发回滞后的维持电流和失效电流、增强器件的ESD鲁棒性，适用于高压电路的ESD自保护。
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