一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用
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专利申请号：
CN202210086342.4
专利类型：
发明专利
技术分类：
C30B29/52(2006.01)I
专利有效期：
2042-01-25
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专利信息
专利名称：一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用
商品编号：5633891
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申请日期：2022-01-25
公开/公告号：CN114427114A
授权公告日/公开日：2022-05-03
申请/专利权人：
云**学
发明/设计人：
王*
主分类号：C30B29/52(2006.01)I
IPC分类号：C30B29/52(2006.01)I;C30B28/12(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/46(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要
本发明属于量子点技术领域，提供了一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用。本发明提供的锰碲掺杂锗量子点，相比MnxGe1‑x量子点掺杂了碲，碲的掺杂减少了Mn沉淀析出相的含量，提高了离子相(Mn2+)的掺杂量，进而提高了所得锰碲掺杂锗量子点的居里温度和磁矩，进而使其能够更好地作为半导体材料应用于自旋场效应晶体管和储存器中。实施例表明，本发明的锰碲掺杂锗量子点的密度为300～625/μm‑2，居里温度为27～319K(超过室温)，剩磁为0.5×10‑5～1.6×10‑5emu/mm2，矫顽力为182～307Oe，磁饱和强度为3000～6150Oe。
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