一种ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料及其制备方法和应用
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专利申请号:
CN201910837847.8
专利类型:
发明专利
技术分类:
C23C14/06(2006.01)I
专利有效期:
2039-09-05
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专利信息
专利名称:一种ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料及其制备方法和应用
商品编号:5616079
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申请日期:2019-09-05
公开/公告号:CN110699639B
授权公告日/公开日:2021-10-29
申请/专利权人:
昆明***学
发明/设计人:
周晓***敬涛
主分类号:C23C14/06(2006.01)I
IPC分类号:C23C14/06(2006.01)I; C23C14/08(2006.01)I; C23C14/1
说明书摘要免费下载摘要
本发明属于半导体薄膜材料制备技术领域,尤其涉及一种ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料及其制备方法和应用。本发明提供的ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料包括自下而上依次层叠设置的基底、ZnS层、Sn层和ZnO层。本发明提供的ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜由ZnS层、Sn层和ZnO层依次排列构成三明治结构,具有优异的光学吸收能力且其高光吸收系数一直保持到可见光区(次强度吸收峰位于可见光区);带隙窄、响应速度快。本发明使用的ZnS、Sn和ZnO半导体材料的晶格错配度小,所得ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料的内应力及缺陷较小;且以ZnO致密薄膜为包覆层起到了保护内部不易被氧化,从而延长了薄膜材料的使用寿命。
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