一种双反馈的单片集成激光器芯片
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专利申请号:
CN201610245808.5
专利类型:
发明专利
技术分类:
H01S5/10(2006.01)I
专利有效期:
2036-04-20
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专利信息
专利名称:一种双反馈的单片集成激光器芯片
商品编号:5613642
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申请日期:2016-04-20
公开/公告号:CN105811241B
授权公告日/公开日:2018-07-24
申请/专利权人:
太原***学
发明/设计人:
王安***建忠
主分类号:H01S5/10(2006.01)I
IPC分类号:H01S5/10(2006.01)I;H01S5/12(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要
本发明涉及半导体光电子领域,具体为一种双反馈的单片集成激光器芯片。解决了目前混沌激光器体积大、集成度不够高、混沌状态不够好等技术问题。一种双反馈的单片集成激光器芯片,包括自左向右顺次排列且共轴的左增益‑吸收部分、左相位调节部分、DFB激光器部分、右相位调节部分、右增益‑吸收部分。本发明采用极短的双腔结构消除了一般单腔反馈激光器芯片的固定时延,使用端面镀透反膜提供反馈,双反馈腔长度相似但不相同,彻底消除了单腔光反馈混沌激光器的时延特性,降低其弱周期性,提高其随机性该单片集成激光器芯片采用双反馈可提高集成器件的混沌带宽,使频谱更加平坦。该单片集成激光器芯片还具有重量轻、体积小、集成性强等优点。
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