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微米阵列LED制备方法

注:上述费用仅包含专利权利转让费用,不包含专利年费或因年费未及时缴纳产生的滞纳金、恢复费。专利年费是专利权人依照专利法规定,自被授予专利权的当年开始,在专利权有效期内逐年应向专利局缴纳的费用。由于出售的专利类型、专利年限以及专利权人是否满足国家费用减缓的条件均会影响具体年费金额,需根据购买专利的实际情况进行缴纳。缴纳年费以及滞纳金、恢复费需单独和平台顾问确认且不属于下单后加价行为,故无法适用保障。
专利申请号
CN201610984382.5
专利类型
发明专利
技术分类
H01L27/15
专利有效期
2036-11-09
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专利信息
专利名称:微米阵列LED制备方法
商品编号:5613639
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申请日期:2016-11-09
公开/公告号:CN106505076B
授权公告日/公开日:2018-07-31
申请/专利权人: 太原***学
发明/设计人: 许并***建杰
主分类号:H01L27/15
IPC分类号:H01L27/15;H01L33/00
说明书摘要免费下载摘要

一种微米阵列LED制备方法,包括:步骤1:准备LED芯片并对其进行清洗。步骤2:将清洗好的芯片放入聚焦离子束切割设备中的样品台。步骤3:利用FIB中的扫描电镜功能观察芯片并把样品台移动到离子束的工作距离和位置。步骤4:先利用小束流离子束观察芯片,选取芯片的刻蚀区域。步骤5:将离子束束流切换到大束流观察芯片,在所选取的芯片刻蚀区域绘制周期性实心方格阵列,利用离子束对所绘制阵列图案区域进行刻蚀。步骤6:离子束刻蚀所选区域完毕后,可重复步骤4、5再次选取刻蚀区域进行刻蚀。步骤7:在整个芯片刻蚀完毕后,关闭离子束源,取出芯片。步骤8:对刻蚀芯片采用轻微湿法腐蚀去除离子束刻蚀对InGaN/GaN量子阱造成的辐照损伤,完成制备。

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微米阵列LED制备方法专利,专利类型:发明授权,技术分类是:H01L27/15,购买微米阵列LED制备方法专利,需要申请人和发明人的基础信息,还需提供微米阵列LED制备方法专利的详细信息。
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