数字市场 专利库 一种阳极氧化法制备介孔纳米片钨化碳薄膜的方法

一种阳极氧化法制备介孔纳米片钨化碳薄膜的方法

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专利申请号
CN201810856014.1
专利类型
发明专利
技术分类
C25D11/26(2006.01)I
专利有效期
2038-07-31
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专利信息
专利名称:一种阳极氧化法制备介孔纳米片钨化碳薄膜的方法
商品编号:5582253
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申请日期:2018-07-31
公开/公告号:CN108930056B
授权公告日/公开日:2018-12-04
申请/专利权人: 浙江***学
发明/设计人: 李国***高静
主分类号:C25D11/26(2006.01)I
IPC分类号:C25D11/26(2006.01)I;C23C8/06(2006.01)I;B82Y40/00(2
说明书摘要免费下载摘要

本发明涉及一种阳极氧化法制备介孔纳米片钨化碳薄膜的方法,该方法以金属钨片为衬底,盐酸水溶液为电解液,采用阳极氧化法,首先得到一种由纳米片构成的三氧化钨薄膜,进一步在甲烷和氢气的混合气氛下还原碳化得到一种介孔纳米片构成的碳化钨薄膜。本发明方法制得的介孔纳米片碳化钨薄膜形貌均一,结构完整,有明显的介孔结构;此外,本发明碳化钨薄膜膜层较厚对金属钨利用率高,与金属钨衬底结合牢固,不易脱离;并且,本发明方法工艺简单,制备重复性高,对设备要求低,且所涉及化学品廉价易得,在工业应用方面有很大的前景。

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