质量阻尼复合结构的ATMD减振装置
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专利申请号:
CN201710398055.6
专利类型:
发明专利
技术分类:
E04B1/98(2006.01)I
专利有效期:
2037-05-31
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专利信息
专利名称:质量阻尼复合结构的ATMD减振装置
商品编号:5581033
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申请日期:2017-05-31
公开/公告号:CN107152100A
授权公告日/公开日:2017-09-12
申请/专利权人:
浙江***学
发明/设计人:
江**
主分类号:E04B1/98(2006.01)I
IPC分类号:E04B1/98(2006.01)I;E04H9/02(2006.01)I
说明书摘要免费下载摘要
本发明公开了一种质量阻尼复合结构的ATMD减振装置,包括质量块,磁流变液阻尼单元,2个发电单元,滑动导轨;所述质量块的中心部位嵌套在滑动导轨的中心横梁;所述质量块的滚轮轮缘中凹外凸,与滑动导轨的凸缘相配合,在辅助限位的同时使质量块沿滑动导轨作往复运动;所述滑动导轨的一端设有第一挡板;另一端设有第二挡板,第二挡板通过螺栓固定在高耸塔设备上;所述的2个发电单元的两端分别固定在第二挡板和质量块之上。本发明根据高塔设备振动频率的不同,压电晶片产生的电量也不一样,从而影响线圈产生的磁场强弱,最终直接导致磁流变液的阻尼大小,达到主动调节ATMD振动频率至被控结构的自振频率区域内,达到有效的减振效果。
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