CMOS迟滞过温保护电路
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专利申请号：
CN201310099678.5
专利类型：
发明专利
技术分类：
H03K19/0175
专利有效期：
2033-03-26
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专利信息
专利名称：CMOS迟滞过温保护电路
商品编号：5579162
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申请日期：2013-03-26
公开/公告号：CN103199846A
授权公告日/公开日：2013-07-10
申请/专利权人：
浙江***学
发明/设计人：
施**
主分类号：H03K19/0175
IPC分类号：H03K19/0175
说明书摘要免费下载摘要
CMOS迟滞过温保护电路，包括由PNP晶体管Q0、电阻R2、电阻R3、电阻R4和PMOS开关管M11组成的核心过温控制电路1，PMOS开关管M11栅电压为保护电路输出电压Vout，所述PMOS开关管M11与电阻R4并联，并联的一端接电源电压，并联的另一端与所述电阻R3一端相连，所述电阻R3的另一端与PNP晶体管的基极相连，所述PNP晶体管Q0的发射极与电源电压相连，所述PNP晶体管Q0的集电极与所述电阻R2的一端相连，所述电阻R2的另一端与地电压相连。
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CMOS迟滞过温保护电路专利，专利类型：发明授权，技术分类是：H03K19/0175，购买CMOS迟滞过温保护电路专利，需要申请人和发明人的基础信息，还需提供CMOS迟滞过温保护电路专利的详细信息。
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