GOI硅片制作方法、GOI硅片及GOI检测方法

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专利申请号：

CN201310028772.1

专利类型：

发明专利

技术分类：

H01L21/762

专利有效期：

2033-01-25

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专利信息

专利名称：GOI硅片制作方法、GOI硅片及GOI检测方法

商品编号：5578121

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申请日期：2013-01-25

公开/公告号：CN103972145B

授权公告日/公开日：2016-07-06

申请/专利权人：北大***公司

发明/设计人：马万***文魁

主分类号：H01L21/762

IPC分类号：H01L21/762; H01L21/66

说明书摘要免费下载摘要

本发明公开了一种GOI硅片制作方法、GOI硅片，以及一种基于制作的GOI硅片进行GOI检测的方法，其中，GOI硅片制作方法包括：在沟槽型VDMOS制作过程中，形成沟槽以及生长栅氧化层之后，生长一层多晶层；在生长多晶层之后，将金属层掩模板与生长多晶层的硅衬底进行对准，其中，所述金属层掩模板是VDMOS制作过程中形成金属层时采用的掩模板；采用光刻工艺，通过对准后的金属掩模板在生长多晶层的硅衬底上形成至少一个用于GOI检测的图形，形成GOI硅片。采用本发明实施例这里提出的技术方案，能够降低GOI硅片和VDMOS器件之间的误差，准确性较好，并能有效地节省资源，进而能够较好地提高GOI检测结果的准确性。

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