处理半导体器件的方法及半导体器件

本发明涉及半导体器件领域技术，尤其涉及处理半导体器件的方法及半导体器件，该方法包括：在衬底的外延层上表面形成初始氧化层后，对外延层进行刻蚀形成沟槽；沟槽内表面形成栅极氧化层后，对外延层进行多晶硅生长；回刻多晶硅后，沟槽内的多晶硅顶端平面低于沟槽的顶端平面；进行介质层淀积，初始氧化层表面覆盖的介质层与沟槽内的多晶硅表面覆盖的介质层在垂直方向具有高度差；去除外延层表面的介质层和初始氧化层后，进行金属层生长。使用本发明实施例提供的处理半导体器件的方法及半导体器件，由于省略了源区光刻和接触孔光刻过程，从而节约了成本，而且缩小了相邻沟槽之间的距离，缩小了元胞的尺寸，进而提高芯片导通电流的能力。