数字市场 专利库 一种金属氧化物半导体电学参数测试器件及制造方法
一种金属氧化物半导体电学参数测试器件及制造方法

一种金属氧化物半导体电学参数测试器件及制造方法

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专利申请号：
CN201210114864.7
专利类型：
发明专利
技术分类：
H01L27/06
专利有效期：
2032-04-18
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专利信息
专利名称：一种金属氧化物半导体电学参数测试器件及制造方法
商品编号：5578101
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申请日期：2012-04-18
公开/公告号：CN103378095B
授权公告日/公开日：2015-12-16
申请/专利权人： 北大***公司
发明/设计人： 谭**
主分类号：H01L27/06
IPC分类号：H01L27/06; H01L21/82
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本发明公开一种金属氧化物半导体电学参数测试器件及制造方法，栅极为金属栅极，N型衬底的第一P型阱区域与第一N+区域形成第一PN结构成第一个二极管，N型衬底的第二P型阱区域与第二N+区域形成第二PN结构成第二个二极管，第一个二极管与第二个二极管反向并联并与栅极相连形成N型金属氧化物半导体电学参数测试器件；或，N型衬底与第一P+区域形成第三PN结构成第三个二极管，N型衬底与第二P+区域形成第四PN结构成第四个二极管，第三个二极管与第四个二极管反向并联并与所述栅极相连形成P型金属氧化物半导体电学参数测试器件。通过本发明能很好的将因等离子损伤引入的正电荷或负电荷释放掉，使阈值电压变化较小。

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