一种MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜
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专利申请号:
CN201911420173.8
专利类型:
发明专利
技术分类:
H05K9/00
专利有效期:
2039-12-31
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专利信息
专利名称:一种MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜
商品编号:5577730
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申请日期:2019-12-31
公开/公告号:CN111132533A
授权公告日/公开日:2020-05-08
申请/专利权人:
浙江***学
发明/设计人:
叶萃***永武
主分类号:H05K9/00
IPC分类号:H05K9/00; B22F1/00
说明书摘要免费下载摘要
本发明公开了一种MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜,所述复合电磁屏蔽膜由MXene、银纳米线和粘结剂制成;其中,MXene和银纳米线的质量比为0.05-20,粘结剂的质量用量为MXene和银纳米线总质量用量的0.001-10%;所述粘结剂为海藻酸钠、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、壳聚糖、羟丙基甲基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基纤维素钠中的一种或几种的混合;所述MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜通过如下方法制备:将银纳米线溶液与粘结剂充分混合后得到混合液1,混合液1再与MXene溶液充分混合,得到混合液2;将混合液2抽滤成膜,即得到MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜。本发明所得的复合电磁屏蔽膜具有优异的电磁屏蔽性能,且本发明方法简单易行、成本低,可以批量生产。
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