一种CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列的制备方法
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专利申请号：
CN202010949994.7
专利类型：
发明专利
技术分类：
H01G11/24
专利有效期：
2040-09-03
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专利信息
专利名称：一种CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列的制备方法
商品编号：5567265
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申请日期：2020-09-03
公开/公告号：CN112164592A
授权公告日/公开日：2021-01-01
申请/专利权人：
宁**学
发明/设计人：
陶凯***韩磊
主分类号：H01G11/24
IPC分类号：H01G11/24; H01G11/30; H01G11/46; H01G11/48; H01G11/86
说明书摘要免费下载摘要
本发明提供一种CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列的制备方法。该方包括以下步骤：将钴盐、咪唑类配体和溶剂混合后加入泡沫镍，通过反应在泡沫镍基底上生长沸石咪唑酯骨架Co‑ZIF‑L纳米片阵列；然后，将Co‑ZIF‑L纳米片阵列加入到硫源溶液中，通过水热硫化生成Co3S4纳米片阵列；以此为前驱体加入铈盐、沉淀剂、溶剂，通过溶剂热反应得到CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列。本方法制备的CeO2纳米粒子修饰的Co3S4纳米片阵列，可直接用作超级电容器的电极，与Co3S4纳米片阵列前驱体相比，比电容提高了114.8％(0.5A/g条件下)。
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