一种表面等离子体共振成像装置及方法
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专利申请号:
CN201811451684.1
专利类型:
发明专利
技术分类:
G01N21/552
专利有效期:
2038-11-30
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专利信息
专利名称:一种表面等离子体共振成像装置及方法
商品编号:5558491
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申请日期:2018-11-30
公开/公告号:CN109297935A
授权公告日/公开日:2019-02-01
申请/专利权人:
深**学
发明/设计人:
邵永***军乐
主分类号:G01N21/552
IPC分类号:G01N21/552
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本发明公开了一种表面等离子体共振成像装置及方法,用于对细胞的吸附力及受激响应进行探测,解决了现有技术中表面等离子体共振成像方法的探测结果与细胞的实际情况之间存在较大误差的问题;包括:细胞培养组件,用于培养细胞,并用于接收细胞生长及受到外界刺激的过程中产生的表面等离子体共振信号;设置在所述细胞培养组件一侧的第一光源提供件,用于为细胞提供光刺激;设置在所述细胞培养组件及所述第一光源提供件之间的光调控组件;设置在所述细胞培养组件远离所述光调控组件一侧的共振传感组件,用于根据所述表面等离子体共振信号获取表面等离子体共振图像;从而降低了表面等离子体共振成像方法的探测结果与细胞的实际情况之间的误差。
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