一种闪存器件及其制备方法

本发明公开了一种闪存器件及其制备方法，所述闪存器件包括：基底；栅极，位于所述基底上方；绝缘层，位于所述栅极上方；浮栅层，位于所述绝缘层上方；隧穿层，位于所述浮栅层上方；半导体层，位于所述隧穿层上方；以及源极和漏极，分别位于所述半导体层顶部两端；其中，所述源极和漏极包括具有金字塔微结构的聚合物薄膜和位于聚合物薄膜上的金属电极。压力信号通过具有形变空间的具有金字塔微结构的聚合物薄膜以实现在施加不同压力的条件下，达到神经突触的权重不同，从而能够将压力传感器与闪存集成于一体，用于对神经突触的模拟。