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一种多级阻变存储器及制备方法

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专利申请号
CN201810786319.X
专利类型
发明专利
技术分类
H01L45/00
专利有效期
2038-07-17
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专利信息
专利名称:一种多级阻变存储器及制备方法
商品编号:5558352
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申请日期:2018-07-17
公开/公告号:CN109065709A
授权公告日/公开日:2018-12-21
申请/专利权人: 深**学
发明/设计人: 周晔***锦锐
主分类号:H01L45/00
IPC分类号:H01L45/00; B82Y30/00; B82Y40/00
说明书摘要免费下载摘要

本发明公开了一种多级阻变存储器及制备方法,其中,多级阻变存储器从下至上包括:刚性基底、底电极、ZnSe/ZnS核壳量子点阻变层、顶电极。本发明采用ZnSe/ZnS核壳量子点薄膜单独作为阻变层,ZnSe和ZnS的最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)的能量存在一定的差异,因此在两端施加偏压时需要克服两次不同能量大小的肖特基结势垒,使得基于核壳结构的ZnSe/ZnS量子点的阻变存储器具有多个组态,本发明的多级阻变存储器具有高存储密度、高稳定性、低功耗且适于高度集成等优点,具有良好的应用前景,能广泛应用于生活中多个领域。

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