一种低相变温度二氧化钒薄膜制备工艺

本发明公开了一种低相变温度二氧化钒薄膜的制备工艺。具体为采用直流反应磁控溅射技术，以非掺杂的金属钒为靶材，衬底为K9玻璃、硅片或其他类型材料，以高纯氧气和氩气为反应气体和溅射气体。首先将真空室抽至1.0～8.0×10-4Pa本底真空，然后通入一定量的氧气和氩气，使氧分压为（6-12％），工作真空为0.5Pa，在一定衬底温度下溅射V靶在衬底形成薄膜，溅射功率为100-140W，将沉积在衬底表面的膜冷却到室温，然后在400～600°C Ar气氛下进行热处理100-120分钟，生成高质量低相变温度的二氧化钒薄膜。该发明具有不掺杂、工艺简单、二氧化钒薄膜相变温度低、及相变点可调节的特点。