一种薄膜晶体管制备方法
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专利申请号：
CN202110300669.2
专利类型：
发明专利
技术分类：
H01L21/02
专利有效期：
2041-03-22
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专利信息
专利名称：一种薄膜晶体管制备方法
商品编号：5542786
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申请日期：2021-03-22
公开/公告号：CN113078042A
授权公告日/公开日：2021-07-06
申请/专利权人：
青岛***学
发明/设计人：
刘代***王飞
主分类号：H01L21/02
IPC分类号：H01L21/02; H01L21/28; H01L21/336
说明书摘要免费下载摘要
本发明属于晶体管制备技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管制备方法，将溶液法和热退火相结合制备超薄Tm2O3介电层和高迁移率的In2O3半导体沟道层，进而制备高性能的TFT，与现有技术相比，具有以下优点：一是Tm2O3高k栅介电层的物理厚度小于15nm，低漏电流的特性能够很好地满足微电子集成化对于器件尺寸的需求；二是Tm2O3薄膜为非晶态，可大面积均匀制备介电层；三是采用等离子体清洗衬底表面，能够增加旋涂时Tm2O3前驱体溶液在衬底的附着力，使得旋涂表面更加均一平整；四是薄膜晶体管中的半导体沟道层和高k介电层均是利用溶液法制备的，成本低廉，制备过程不需要高真空环境，在空气中即可进行。
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