数字市场 专利库 一种利用硅废料制备镓掺杂纳米硅颗粒的方法

一种利用硅废料制备镓掺杂纳米硅颗粒的方法

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专利申请号
CN202110494051.4
专利类型
发明专利
技术分类
H01M4/38
专利有效期
2041-05-07
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专利信息
专利名称:一种利用硅废料制备镓掺杂纳米硅颗粒的方法
商品编号:5541037
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申请日期:2021-05-07
公开/公告号:CN113471422B
授权公告日/公开日:2023-07-07
申请/专利权人: 盐***院
发明/设计人: 洪*
主分类号:H01M4/38
IPC分类号:H01M4/38; H01L31/18; H01M10/0525
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本发明公开了一种利用硅废料制备镓掺杂纳米硅颗粒的方法,选取由金刚线切割硅锭后的硅废料经提纯后获得的硅微粉作为原料,配制镓掺杂剂,将该掺杂剂与硅微粉混合进行球磨,通过球磨过程中的瞬时高温将镓元素预扩散到硅颗粒表面,然后将球磨后的产物进行真空干燥,干燥后放置于真空炉中,通入氢气和氮气的混合气体进行辅助扩散,扩散完成后进行筛分收集,最终获得镓掺杂的硅纳米颗粒。本申请镓掺杂硅纳米,制备工艺简单,生产成本低廉,适合激光进行快速高效的局域镓元素掺杂,与现有太阳能电池产线的工艺兼容性高,适合工业化生产。由于镓掺杂后硅纳米颗粒具有良好的导电性,作为锂电池硅负极材料能很好的缓解硅的体积膨胀和提高电池的倍率性能。

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