一种忆阻器仿真模型
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专利申请号:
CN202020859722.3
专利类型:
实用新型
技术分类:
G06F30/39
专利有效期:
2030-05-21
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专利信息
专利名称:一种忆阻器仿真模型
商品编号:5540133
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申请日期:2020-05-21
公开/公告号:CN212208300U
授权公告日/公开日:2020-12-22
申请/专利权人:
盐***院
发明/设计人:
周磊***雪飞
主分类号:G06F30/39
IPC分类号:G06F30/39
说明书摘要免费下载摘要
本实用新型公开了一种忆阻器仿真模型,包括忆阻器等效电阻R1、受控电压源V1至V3、电阻R2至R6、电容C、第一运放和第二运放。忆阻器等效电阻R1的一端与受控电压源V1的正极相连;受控电压源V2的负极接地,受控电压源V2的正极与电阻R2的一端相连,电阻R2的另一端分别于第一运放的反相输入端、电容C的一端相连,电容C的另一端与第一运放的输出端相连,第一运放的正相输入端接地;受控电压源V3的负极接地,受控电压源V3的正极与电阻R3的一端相连,电阻R3的另一端分别于第二运放的反相输入端、电阻R4的一端相连,电阻R4的另一端与第二运放的输出端相连,第二运放的正相输入端分别于电阻R5、电阻R6的一端相连,电阻R6的另一端接地。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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